Referinta: SSDPR-PX500-256-80 3
Marca: GOODRAM
SSD GR 256 M2 PX500 SSDPR-PX500-256-80
SSD Goodram, PX500, 256GB, M2 2280, PCIe NVMe gen 3 x4 (M key), R/W speed: up to 1850MB/s/950MB/s
Filtrare dupa
Disponibilitate
Disponibilitate
Marca
Marca
Greutate
Greutate
0kg - 0,128kg
Blue banner
Banner
Subcategorii
Sunt 27 produse.
Referinta: SSDPR-PX500-256-80 3
Marca: GOODRAM
SSD Goodram, PX500, 256GB, M2 2280, PCIe NVMe gen 3 x4 (M key), R/W speed: up to 1850MB/s/950MB/s
Referinta: SSDPR-PX500-512-80 3
Marca: GOODRAM
SSD Goodram, PX500, 512GB, M2 2280, PCIe NVMe gen 3 x4 (M key), R/W speed: up to 2000MB/s/1600MB/s
Referinta: TS256GMTE220S A
Marca: Transcend
Locatie dispozitivPlug-in CardFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare256 GBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3CertificariCE/FCC/BSMITehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Sequential Read Rate3500 MB/s
Referinta: TS1TSSD230S A
Marca: Transcend
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5" 7mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCertificariCE, FCC, BSMITehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level
Referinta: TS1TMTE300S A
Marca: Transcend
Referinta: TS1TMTE250S A
Marca: Transcend
Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formăM.2 22x80mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen4CertificariCE/UKCA/FCC/BSMI/KC/RCMTehnologia pentru memorie3D NANDSSD Cooling MethodHeatsinkCuloare externăNegruMaximum Random Rea
Referinta: TS512GSSD230S A
Marca: Transcend
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5" 7mmCapacitate de stocare512 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCertificariCE, FCC, BSMIFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellCuloare externăArgintMaximum
Referinta: TS512GMTE400S A
Marca: Transcend
Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formăM.2 22x42mmCapacitate de stocare512 GBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3CertificariCE/UKCA/FCC/BSMI/KC/RCMTehnologia pentru memorie3D NANDMaximum Random Read Rate53000 IOPSMaximum Random Write Rate235
Referinta: TS2TMTE250S A
Marca: Transcend
Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formăM.2 22x80mmCapacitate de stocare2 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen4CertificariCE/UKCA/FCC/BSMI/KC/RCMTehnologia pentru memorie3D NANDSSD Cooling MethodHeatsinkCuloare externăNegruMaximum Random Rea
Referinta: TS1TMTE220S A
Marca: Transcend
Locatie dispozitivPlug-in CardFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3CertificariCE/FCC/BSMITehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Sequential Read Rate3500 MB/sMa
Referinta: TS512GMTE300S A
Marca: Transcend
Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formăM.2 22x30mmCapacitate de stocare512 GBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3CertificariCE/UKCA/FCC/BSMI/KC/RCMTehnologia pentru memorie3D NANDMaximum Random Read Rate90000 IOPSMaximum Random Write Rate190
Referinta: TS512GMTE220S A
Marca: Transcend
Locatie dispozitivPlug-in CardFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare512 GBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3CertificariCE/FCC/BSMITehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Sequential Read Rate3500 MB/s
Referinta: TS256GSSD230S A
Marca: Transcend
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5" 7mmCapacitate de stocare256 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate65000 IOPSMaximum Random Wri
Referinta: TS256GMTE300S A
Marca: Transcend
Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formăM.2 22x30mmCapacitate de stocare256 GBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3CertificariCE/UKCA/FCC/BSMI/KC/RCMTehnologia pentru memorie3D NANDMaximum Random Read Rate90000 IOPSMaximum Random Write Rate220
Referinta: MTFDHBA256TCK-1AS1AABYY A
Marca: MICRON
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare256 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate240000 IOPSMaximum Random Wr
Referinta: MTFDDAK512TDL-1AW1ZABYY A
Marca: MICRON
Factor de forma2.5"Capacitate de stocare512 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashMaximum Random Read Rate90000 IOPSMaximum Random Write Rate87000 IOPSMaximum Sequential