Locatia dispozitivuluiInternalFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare500 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashMaximum Sequential Read Rate2100 MB/sMaximum Sequential Write Rate1700 MB/sToleranta la vibratii in o
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare4 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellAccesorii incl
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare128 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate70000 IOPSMaximum Rando
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5"Capacitate de stocare480 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCertificariFCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, CE, Morocco, RCM, UKCATehnologia pentru memorieNAND FlashFla
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare256 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCapacitate de stocare instalata a memoriei cache512 MBSSD ControllerSamsung MJXFlash Memory
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5" 7mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsSSD ControllerSamsung MKXTehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyMulti-Level
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de formaM.2Capacitate de stocare250 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate375000 IOPSMaximum Random Write Rate300