Referinta: SSDPR-PX500-256-80 3
Marca: GOODRAM
SSD GR 256 M2 PX500 SSDPR-PX500-256-80
SSD Goodram, PX500, 256GB, M2 2280, PCIe NVMe gen 3 x4 (M key), R/W speed: up to 1850MB/s/950MB/s
Filtrare dupa
Disponibilitate
Disponibilitate
Marca
Marca
Greutate
Greutate
0kg - 0,1kg
Blue banner
Banner
Subcategorii
Sunt 32 produse.
Referinta: SSDPR-PX500-256-80 3
Marca: GOODRAM
SSD Goodram, PX500, 256GB, M2 2280, PCIe NVMe gen 3 x4 (M key), R/W speed: up to 1850MB/s/950MB/s
Referinta: SSDPR-PX500-512-80 3
Marca: GOODRAM
SSD Goodram, PX500, 512GB, M2 2280, PCIe NVMe gen 3 x4 (M key), R/W speed: up to 2000MB/s/1600MB/s
Referinta: SSDPFKNU010TZX1 A
Marca: SOLIDIGM
Locatie dispozitivPlug-in ModuleFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 4.0 x4Tehnologia pentru memorie3D NANDFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellAccesorii incluseDocumentațieCuloare externăNegruMaximum Random
Referinta: SSDPFKKW512H7X1 A
Marca: SOLIDIGM
Locatie dispozitivPlug-in ModuleFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare512 GBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen4Tehnologia pentru memorieNAND FlashAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareCuloare externăNegruMaximum Sequential Read Rate7000 MB/sMaxim
Referinta: SSDPFKKW020X7X1 A
Marca: SOLIDIGM
Locatie dispozitivPlug-in ModuleFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare2 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 4.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashAccesorii incluseDocumentațieCuloare externăNegruMaximum Sequential Read Rate7000 MB/sMaximum Sequentia
Referinta: SSDPFKKW010X7X1 A
Marca: SOLIDIGM
Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formăM.2 22x80mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen4Tehnologia pentru memorieNAND FlashAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareCuloare externăBlackMaximum Sequential Read Rate7000 MB
Referinta: SSDPEKKW020T8X1 A
Marca: INTEL
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare2.05 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.1 x4Flash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate340000 IOPSMaximum Random Write Rate275000 IOPSMaximum Sequent
Referinta: SSDPEKKW256G801 A
Marca: INTEL
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare256 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.1 x4Flash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate205000 IOPSMaximum Random Write Rate265000 IOPSMaximum Sequenti
Referinta: SSDPEKKW128G801 A
Marca: INTEL
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare128 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.1 x4Flash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate105000 IOPSMaximum Random Write Rate160000 IOPSMaximum Sequenti
Referinta: SSDPEKKW512G801 A
Marca: INTEL
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare512 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.1 x4Flash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate340000 IOPSMaximum Random Write Rate275000 IOPSMaximum Sequenti
Referinta: SSDPEKNW020T8X1 A
Marca: INTEL
Locatie dispozitivPlug-in CardFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare2 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate220000 IOPSMaximum Random Write Rate220
Referinta: SSDPEKNW010T8X1 A
Marca: INTEL
Locatie dispozitivPlug-in CardFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate220000 IOPSMaximum Random Write Rate220
Referinta: SSDSC2KW512G8X1 A
Marca: INTEL
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare512 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate75000 IOPSMaximum Rando
Referinta: SSDSC2KW128G8X1 A
Marca: INTEL
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare128 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate70000 IOPSMaximum Rando
Referinta: SSDPEKNW010T9X1 A
Marca: INTEL
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCI Express 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate160000 IOPSMaximum Random Write Ra
Referinta: SSDPEKKW010T8X1 A
Marca: INTEL
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare1.02 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.1 x4Flash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate340000 IOPSMaximum Random Write Rate275000 IOPSMaximum Sequent